综合新闻
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  • 北京大学物理学院赴实验室参观交流

    2017 / 06 /07
    近日,实验室联合北京大学物理学院开展传承航天精神的就业实践活动在月球楼534成功举办。北京大学物理学院团委副书记贾方健以及物理学院本硕博50余名学生赴实验室开展就业座谈,并参观了院会展中心。
  • 实验室参加北京市科技周海淀主场活动

    2017 / 05 /22
    5月19日,主题为“科技强国·创新圆梦”的2017年度北京市科技周海淀主场活动在北京市海淀区中关村智造大街拉开帷幕。此次活动由北京市海淀区科学技术协会主办。实验室作为航天领域前沿技术研究单位应邀参加此次活动。
  • 实验室在太空发电站热控分系统开展新探索

    2017 / 05 /17
    太空发电站是运行在地球同步轨道的大型发电航天器,利用电站持续对日定向的巨大太阳电池阵接收太阳能并转化成为电能;电能通过大量大功率微波源和巨大的对地定向的发射天线,以微波无线能量传输的方式向地面传输能量。因此,能量耗散在此一系列传输过程中不可避免。作为太空发电站核心分系统之一,热控分系统往往影响并制约整个电站系统的设计、分析以及优化。
  • 传承航天精神—清华大学航天航空学院来访实验室

    2017 / 05 /15
    5月12日下午,清华大学航天航空学院本硕博约30名学生来访参观实验室。实验室人力资源处接待来访并陪同参观。
  • 摩尔定律有望在亚10nm得到延续——二维新材料砷烯锑烯的器件研究

    2017 / 05 /03
    目前,半导体芯片产业年销售额达到三千亿美元的体量,其中数字集成电路占了芯片市场70%的份额。现代数字集成电路只基于一种半导体材料—硅,一种场效应管类型—金属氧化物场效应管(MOSFET)和一种集成技术—互补型MOS(由n型MOSFET和p型MOSFET组成)。根据摩尔定律,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,同时性能也提高一倍。现在市面上硅基MOSFET的沟道长度为14nm。未来十年晶体管要工作在亚10 nm区域,但传统的块材硅在亚10 nm 沟道会遭遇严重的短沟道效应,尺寸缩小正面临巨大的挑战。受摩尔定律支配的集成电子芯片的发展已进入瓶颈期,需要寻找新的材料和器件技术来继续推动亚10纳米芯片技术的发展。二维材料由于其超薄的单原子层厚度,且表面平整无悬挂键,作沟道材料时门控能力会大大增强,与介电层间也不会形成界面陷阱,因此可以有效地抑制短沟道效应,被认为很有希望替代硅成为未来场效应管的沟道材料。更重要的是,它们具有良好的柔韧性,在柔性电子学和光电子学方面具有很强的应用前景。
  • 实验室在群体智能理论与应用研究中取得新进展

    2017 / 04 /28
    伴随着微电子技术、嵌入式计算技术与无线通信技术的日趋成熟,以多智能体协作为基础的信息获取、处理与任务执行方式正逐渐取代基于单一个体的集中式体系结构,具有灵活性高、鲁棒性强、响应速度快、运营成本低等优点,在对地观测、在轨服务、军事国防等领域有着巨大的应用价值。